STP18N60DM2 datasheet(7/13 Pages) STMICROELECTRONICS

tên linh kiện	STP18N60DM2

Giải thích chi tiết về linh kiện	Extremely high dv/dt ruggedness

Download	13 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

7 / 13 page

STP18N60DM2

Electrical characteristics

DocID027674 Rev 3

7/13

Figure 8: Capacitance variations

Figure 9: Normalized gate threshold voltage

vs temperature

Figure 10: Normalized on-resistance vs

temperature

Figure 11: Normalized V(BR)DSS vs

temperature

Figure 12: Source-drain diode forward

characteristics

Figure 13: Output capacitance stored energy

Số phần tương tự - STP18N60DM2

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STP18N60M2	1Mb / 21P	Low gate input resistance February 2014 Rev 2
STMicroelectronics	STP18N60M2	861Kb / 27P	N-channel 600 V, 0.255 Ω typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK,I2PAK, TO-220 and TO-247 packages DS9714 - Rev 4 - November 2018

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STP45N60DM2AG	420Kb / 13P	Extremely high dv/dt ruggedness
	STW70N60DM2	724Kb / 12P	Extremely high dv/dt ruggedness December 2015 Rev 4
	STW35N60DM2	704Kb / 12P	Extremely high dv/dt ruggedness September 2015 Rev 1
	STF24N60DM2	821Kb / 13P	Extremely high dv/dt ruggedness March 2015 Rev 4
	STP35N60DM2	733Kb / 13P	Extremely high dv/dt ruggedness
	STW18N60DM2	711Kb / 12P	Extremely high dv/dt ruggedness
	STF35N60DM2	691Kb / 13P	Extremely high dv/dt ruggedness September 2015 Rev 1
	STP43N60DM2	422Kb / 13P	Extremely high dv/dt ruggedness
	STW72N60DM2AG	728Kb / 12P	Extremely high dv/dt ruggedness December 2015 Rev 4
Silikron Semiconductor ...	SSF7N60	439Kb / 6P	Extremely high dv/dt capability