công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STH6N95K5-2 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STH6N95K5-2 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 17 page STH6N95K5-2 Electrical ratings DocID027383 Rev 3 3/17 1 Electrical ratings Table 2: Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VGS Gate-source voltage ± 30 V ID Drain current at TC = 25 °C 6 A ID Drain current at TC = 100 °C 3.8 A IDM(1) Drain current (pulsed) 24 A PTOT Total dissipation at TC = 25 °C 110 W IAR(2) Max current during repetitive or single pulse avalanche 3 A EAS(3) Single pulse avalanche energy 90 mJ dv/dt(4) Peak diode recovery voltage slope 4.5 V/ns dv/dt(5) MOSFET dv/dt ruggedness 50 V/ns Tj Operating junction temperature - 55 to 150 °C Tstg Storage temperature Notes: (1)Pulse width limited by safe operating area. (2)Pulse width limited by Tjmax. (3)Starting Tj = 25 °C, ID = IAS, VDD = 50 V. (4)ISD ≤ 6 A, di/dt ≤ 100 A/µs, VDS(peak) ≤ V(BR)DSS. (5)VDS ≤ 760 V. Table 3: Thermal data Symbol Parameter Value Unit Rthj-case Thermal resistance junction-case max 1.14 °C/W Rthj-pcb(1) Thermal resistance junction-pcb max 30 Notes: (1)When mounted on 1 inch² FR-4 board, 2 oz Cu. |
Số phần tương tự - STH6N95K5-2 |
|
Mô tả tương tự - STH6N95K5-2 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |