công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK9615-100A bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK9615-100A bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 13 page BUK9615-100A All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved. Product data sheet Rev. 3 — 19 April 2011 3 of 13 NXP Semiconductors BUK9615-100A N-channel TrenchMOS logic level FET VGS ≥ 5 V Fig 1. Normalized total power dissipation as a function of mounting base temperature Fig 2. Normalized continuous drain current as a function of mounting base temperature ID = 75 A unclamped inductive load Fig 3. Normalised drain-source non-repetitive avalanche energy as a function of mounting-base temperature Fig 4. Single-shot avalanche rating; avalanche current as a function of avalanche period 40 60 20 80 100 Pder (%) 0 Tmb (°C) 0 200 150 50 100 003aaf364 40 60 20 80 100 ID (%) 0 Tmb (°C) 0 200 160 120 40 80 003aaf365 40 60 20 80 100 WDSS (%) 0 Tmb (°C) 20 180 140 60 100 003aaf379 003aaf380 tAV (ms) 10−3 10 1 10−2 10−1 10 102 lAV 1 Tj prior to avalanche = 150 °C 25 °C |
Số phần tương tự - BUK9615-100A_15 |
|
Mô tả tương tự - BUK9615-100A_15 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |