công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7626-100B bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7626-100B bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors |
7 / 13 page BUK7626-100B All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved. Product data sheet Rev. 2 — 2 February 2011 7 of 13 NXP Semiconductors BUK7626-100B N-channel TrenchMOS standard level FET Fig 9. Transfer characteristics: drain current as a function of gate-source voltage; typical values Fig 10. Gate-source threshold voltage as a function of junction temperature Fig 11. Drain-source on-state resistance as a function of drain current; typical values Fig 12. Normalized drain-source on-state resistance factor as a function of junction temperature 03nm38 0 25 50 75 100 02 46 8 VGS (V) ID (A) Tj = 175 °C Tj = 25 °C Tj (°C) −60 180 120 060 03aa32 2 3 1 4 5 VGS(th) (V) 0 max typ min 03nm41 10 20 30 40 50 60 0 25 50 75 100 I D (A) R DSon (m Ω) Label is V GS (V) 20 10 9 8 7 6.5 6 5.5 03ng41 0 0.7 1.4 2.1 2.8 -60 0 60 120 180 Tj ( °C) a |
Số phần tương tự - BUK7626-100B_15 |
|
Mô tả tương tự - BUK7626-100B_15 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |