công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

BUK9614-60E bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors

tên linh kiện BUK9614-60E
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-channel TrenchMOS logic level FET
Download  12 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  PHILIPS [NXP Semiconductors]
Trang chủ  http://www.nxp.com
Logo PHILIPS - NXP Semiconductors

BUK9614-60E bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors

  BUK9614-60E_15 Datasheet HTML 1Page - NXP Semiconductors BUK9614-60E_15 Datasheet HTML 2Page - NXP Semiconductors BUK9614-60E_15 Datasheet HTML 3Page - NXP Semiconductors BUK9614-60E_15 Datasheet HTML 4Page - NXP Semiconductors BUK9614-60E_15 Datasheet HTML 5Page - NXP Semiconductors BUK9614-60E_15 Datasheet HTML 6Page - NXP Semiconductors BUK9614-60E_15 Datasheet HTML 7Page - NXP Semiconductors BUK9614-60E_15 Datasheet HTML 8Page - NXP Semiconductors BUK9614-60E_15 Datasheet HTML 9Page - NXP Semiconductors Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 5 / 12 page
background image
NXP Semiconductors
BUK9614-60E
N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9614-60E
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
© NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet
13 July 2012
5 / 12
6. Characteristics
Table 6.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Static characteristics
ID = 250 µA; VGS = 0 V; Tj = 25 °C
60
-
-
V
V(BR)DSS
drain-source
breakdown voltage
ID = 250 µA; VGS = 0 V; Tj = -55 °C
54
-
-
V
ID = 1 mA; VDS = VGS; Tj = 25 °C;
Fig. 9; Fig. 10
1.4
1.7
2.1
V
ID = 1 mA; VDS = VGS; Tj = -55 °C;
Fig. 9
-
-
2.45
V
VGS(th)
gate-source threshold
voltage
ID = 1 mA; VDS = VGS; Tj = 175 °C;
Fig. 9
0.5
-
-
V
VDS = 60 V; VGS = 0 V; Tj = 25 °C
-
0.02
1
µA
IDSS
drain leakage current
VDS = 60 V; VGS = 0 V; Tj = 175 °C
-
-
500
µA
VGS = 10 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C
-
2
100
nA
IGSS
gate leakage current
VGS = -10 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C
-
2
100
nA
VGS = 5 V; ID = 15 A; Tj = 25 °C; Fig. 11
-
11.5
14
VGS = 10 V; ID = 15 A; Tj = 25 °C;
Fig. 11
-
10.3
12.8
RDSon
drain-source on-state
resistance
VGS = 5 V; ID = 15 A; Tj = 175 °C;
Fig. 12; Fig. 11
-
-
31
Dynamic characteristics
QG(tot)
total gate charge
-
20.5
-
nC
QGS
gate-source charge
-
4
-
nC
QGD
gate-drain charge
ID = 15 A; VDS = 48 V; VGS = 5 V;
Fig. 13; Fig. 14
-
6.7
-
nC
Ciss
input capacitance
-
1988
2651
pF
Coss
output capacitance
-
196
235
pF
Crss
reverse transfer
capacitance
VGS = 0 V; VDS = 25 V; f = 1 MHz;
Tj = 25 °C; Fig. 15
-
114
156
pF
td(on)
turn-on delay time
-
16.9
-
ns
tr
rise time
-
22.4
-
ns
td(off)
turn-off delay time
-
35.7
-
ns
tf
fall time
VDS = 45 V; RL = 3 Ω; VGS = 5 V;
RG(ext) = 5 Ω
-
22.9
-
ns
LD
internal drain
inductance
from upper edge of drain mounting
base to center of die
-
2.5
-
nH
LS
internal source
inductance
from source lead to source bonding
pad
-
7.5
-
nH


Số phần tương tự - BUK9614-60E_15

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
Nexperia B.V. All right...
BUK9614-60E NEXPERIA-BUK9614-60E Datasheet
722Kb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
More results

Mô tả tương tự - BUK9614-60E_15

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
NXP Semiconductors
PHP152NQ03LTA PHILIPS-PHP152NQ03LTA Datasheet
83Kb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 01-05 March 2004
PHB32N06LT NXP-PHB32N06LT Datasheet
376Kb / 11P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 02-30 November 2009
PHD97NQ03LT NXP-PHD97NQ03LT Datasheet
178Kb / 12P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 01-24 March 2009
PHU78NQ03LT NXP-PHU78NQ03LT Datasheet
184Kb / 12P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 06-15 June 2009
BUK9E2R4-40C NXP-BUK9E2R4-40C Datasheet
206Kb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 01-11 April 2008
BUK964R2-80E PHILIPS-BUK964R2-80E Datasheet
271Kb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
13 March 2014
BUK961R5-30E NXP-BUK961R5-30E Datasheet
216Kb / 14P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
5 October 2012
BUK962R2-40C NXP-BUK962R2-40C Datasheet
206Kb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 02-17 April 2008
PHP110NQ06LT PHILIPS-PHP110NQ06LT Datasheet
94Kb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 01-04 May 2004
PSMN7R0-30YL NXP-PSMN7R0-30YL Datasheet
192Kb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 01-15 October 2008
PH3330L NXP-PH3330L Datasheet
194Kb / 13P
   N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 02-22 October 2008
More results


Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL




Chính sách bảo mật
ALLDATASHEET.VN
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com