công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7675-55A bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7675-55A bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 12 page NXP Semiconductors BUK7675-55A N-channel TrenchMOS standard level FET BUK7675-55A All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP Semiconductors N.V. 2014. All rights reserved Product data sheet 25 August 2014 3 / 12 Symbol Parameter Conditions Min Max Unit Source-drain diode IS source current Tmb = 25 °C - 20.3 A ISM peak source current pulsed; tp ≤ 10 µs; Tmb = 25 °C - 81 A Avalanche ruggedness EDS(AL)S non-repetitive drain-source avalanche energy ID = 11 A; Vsup ≤ 55 V; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C; unclamped - 30.3 mJ Tmb (°C) 0 200 150 50 100 03na19 40 80 120 Pder (%) 0 Fig. 1. Normalized total power dissipation as a function of mounting base temperature Tmb (°C) 0 200 150 50 100 03aa24 40 80 120 Ider (%) 0 Fig. 2. Normalized continuous drain current as a function of mounting base temperature 03nc12 10 1 102 103 ID (A) 10- 1 VDS (V) 1 102 10 RDSon = VDS / ID D.C. tp = 10 µs 100 µs 1 ms 10 ms 100 ms tp tp T P t T δ = Fig. 3. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage |
Số phần tương tự - BUK7675-55A_15 |
|
Mô tả tương tự - BUK7675-55A_15 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |