công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UC1825VTD1 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Texas Instruments |
|
|
UC1825VTD1 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Texas Instruments |
2 / 5 page UC1825-DIE SLUSBO1 – JULY 2013 www.ti.com This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage. ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications. BARE DIE INFORMATION BACKSIDE BOND PAD BOND PAD DIE THICKNESS BACKSIDE FINISH POTENTIAL METALLIZATION COMPOSITION THICKNESS 10.5 mils. Silicon with backgrind Floating AlCu2% 2000 nm 2 Submit Documentation Feedback Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: UC1825-DIE |
Số phần tương tự - UC1825VTD1 |
|
Mô tả tương tự - UC1825VTD1 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |