công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7Y12-55B bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7Y12-55B bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors |
8 / 14 page BUK7Y12-55B All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 03 — 7 April 2010 8 of 14 NXP Semiconductors BUK7Y12-55B N-channel TrenchMOS standard level FET Fig 10. Gate-source threshold voltage as a function of junction temperature Fig 11. Sub-threshold drain current as a function of gate-source voltage Fig 12. Drain-source on-state resistance as a function of gate-source voltage; typical values. Fig 13. Normalized drain-source on-state resistance factor as a function of junction temperature. Tj (°C) −60 180 120 060 03aa32 2 3 1 4 5 VGS(th) (V) 0 max typ min 03aa35 VGS (V) 06 4 2 10−4 10−5 10−2 10−3 10−1 ID (A) 10−6 min typ max 003aad618 0 7 14 21 28 35 4 8 12 16 20 VGS (V) RDSON (m Ω) 003aad696 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4 -60 0 60 120 180 Tj ( °C) a |
Số phần tương tự - BUK7Y12-55B_15 |
|
Mô tả tương tự - BUK7Y12-55B_15 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |