công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7K6R2-40E bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7K6R2-40E bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors |
7 / 13 page NXP Semiconductors BUK7K6R2-40E Dual N-channel 40 V, 5.8 mΩ standard level MOSFET BUK7K6R2-40E All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2013. All rights reserved Product data sheet 6 November 2013 7 / 13 003aak982 0 2 4 6 8 0 30 60 90 120 150 VGS (V) ID ID (A) (A) Tj = 25°C Tj = 25°C 175°C 175°C Fig. 8. Transfer characteristics; drain current as a function of gate-source voltage; typical values 003aah028 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 0 2 4 6 VGS(V) ID (A) max typ min Fig. 9. Sub-threshold drain current as a function of gate-source voltage 003aah027 0 1 2 3 4 5 -60 0 60 120 180 Tj (°C) VGS(th) (V) max typ min Fig. 10. Gate-source threshold voltage as a function of junction temperature 003aak985 0 8 16 24 32 40 0 10 20 30 40 50 ID (A) RDSon RDSon 4.5 V 4.5 V 5 V 5 V 5.5 V 5.5 V 6 V 6 V VGS = 10 V VGS = 10 V Tj = 25 °C; tp = 300 μs Fig. 11. Drain-source on-state resistance as a function of drain current; typical values |
Số phần tương tự - BUK7K6R2-40E_15 |
|
Mô tả tương tự - BUK7K6R2-40E_15 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |