công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MTB09N06I3 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
MTB09N06I3 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
5 / 8 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C912I3 Issued Date : 2015.05.30 Revised Date : 2015.06.01 Page No. : 5/ 8 MTB09N06I3 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) Capacitance vs Drain-to-Source Voltage 100 1000 10000 0.1 1 10 100 VDS, Drain-Source Voltage(V) C oss Ciss Crss Threshold Voltage vs Junction Tempearture 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Tj, Junction Temperature(°C) ID=250 μ A ID=1mA Forward Transfer Admittance vs Drain Current 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 ID, Drain Current(A) Ta=25°C Pulsed VDS=5V Gate Charge Characteristics 0 2 4 6 8 10 0 1020 30405060 Qg, Total Gate Charge(nC) VDS=30V ID=20A Maximum Safe Operating Area 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000 VDS, Drain-Source Voltage(V) TC=25°C, Tj=175°C VGS=10V, Rθ JC=2°C/W Single Pulse DC 100ms RDSON Limited 1s 100 μ s 1ms 10ms Maximum Drain Current vs Case Temperature 0 10 20 30 40 50 60 70 80 25 50 75 100 125 150 175 200 TC, Case Temperature(°C) VGS=10V, RθJC=2°C/W Silicon limit Package limit |
Số phần tương tự - MTB09N06I3 |
|
Mô tả tương tự - MTB09N06I3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |