công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BYV25X-600 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
BYV25X-600 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 9 page BYV25X-600_1 © NXP B.V. 2008. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 12 August 2008 4 of 9 NXP Semiconductors BYV25X-600 Rectifier diode, ultrafast 7. Characteristics Table 6. Characteristics Tj = 25 °C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Static characteristics VF forward voltage IF = 5 A; Tj = 150 °C; see Figure 2 - 0.97 1.11 V IF = 5 A - 1.12 1.30 V IR reverse current VR = 600 V - 2 50 µA VR = 600 V; Tj = 100 °C - 0.1 0.35 mA Dynamic characteristics Qr recovered charge IF =2A to VR ≥ 30 V; dIF/dt=20A/µs; see Figure 3 - 4070nC trr reverse recovery time IF = 1 A to VR ≥ 30 V; dIF/dt = 100 A/µs; see Figure 3 - 5060ns IRM peak reverse recovery current IF = 10 A to VR ≥ 30 V; dIF/dt=50A/µs; Tj = 100 °C; see Figure 3 - 3 5.5 A VFR forward recovery voltage IF = 10 A; dIF/dt=10A/µs; see Figure 4 - 3.2 - V (1) Tj = 150 °C; typical values (2) Tj = 150 °C; maximum values (3) Tj =25 °C; maximum values Fig 2. Forward current as a function of forward voltage 003aac232 0 5 10 15 0 0.4 0.8 1.2 1.6 VF (V) IF (A) (1) (2) (3) |
Số phần tương tự - BYV25X-600_15 |
|
Mô tả tương tự - BYV25X-600_15 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |