công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
KDV216E bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - KEC(Korea Electronics) |
|
KDV216E bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - KEC(Korea Electronics) |
1 / 2 page 2014. 3. 31 1/2 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA KDV216E Revision No : 3 TV TUNING. FEATURES ・High Capacitance Ratio ・Low Series Resistance MAXIMUM RATING (Ta=25℃) 1. ANODE 2. CATHODE ESC DIM MILLIMETERS A B C D E 1.60 0.10 1.20 0.10 0.80 0.10 0.30 0.05 0.60 0.10 D C 1 2 E F 0.13 0.05 F G + _ + _ + _ + _ + _ + _ 0.20 0.10 + _ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃) VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Type Name Marking 3 V CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Reverse Voltage VR 32 V Junction Temperature Tj 125 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55~125 ℃ CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT Reverse Current IR VR=32V - - 10 nA Capacitance C1V VR=1V, f=1MHz 19.0 - 21.0 pF C2V VR=2V, f=1MHz - 15.0 - pF C25V VR=25V, f=1MHz - 2.1 - pF C28V VR=28V, f=1MHz 1.75 - 2.15 pF Capacitance Ratio C1V/C28V - 9.2 10 - - C1V/C2V - 1.2 - - - C25V/C28V - 1.035 1.045 - - Series Resistance rs VR=5V, f=470MHz - - 0.7 Ω Note : Available in matched group for capacitance to 2.0%. C(Max.)-C(Min.) ≦0.02 C(Min.) (VR=1~28V) |
Số phần tương tự - KDV216E_15 |
|
Mô tả tương tự - KDV216E_15 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |