công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STUD438S bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
STUD438S bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
1 / 8 page S mHop Microelectronics C orp. a STU/D438S Symbol VDS VGS IDM A ID Units Parameter 40 V V ±20 Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) (m ) Max 40V 50A 11 @ VGS=4.5V 9 @ VGS=10V FEATURES Super high dense cell design for low RDS(ON). Rugged and reliable. TO-252 and TO-251 Package. N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted) Limit Drain Current-Continuous -Pulsed b A Ver 1.4 www.samhop.com.tw Apr,28,2011 1 Details are subject to change without notice. TC=25°C G G S S D D G G S S STU SERIES TO - 252AA( D- PAK ) STD SERIES TO - 251( I - PAK ) W PD °C -55 to 175 TC=25°C THERMAL CHARACTERISTICS Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG 50 °C/W Thermal Resistance, Junction-to-Ambient R JA 3 °C/W Thermal Resistance, Junction-to-Case R JC TC=70°C A EAS mJ Single Pulse Avalanche Energy c TC=70°C W a a 50 147 42 Gre rr e P Pr P P o rr IAS Single Pulse Avalanche Current c 23 A 40 27 132 |
Số phần tương tự - STUD438S |
|
Mô tả tương tự - STUD438S |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |