công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STS3116E bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
STS3116E bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
1 / 8 page S mHop Microelectronics C orp. a FEATURES Super high dense cell design for low RDS(ON). Rugged and reliable. Suface Mount Package. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor www.samhop.com.tw Jan,08,2014 1 Details are subject to change without notice. SOT 23 G S D STS3116E Ver 1.1 Green Product Symbol VDS VGS IDM W A PD °C 1.25 -55 to 150 ID Units Parameter 30 2.6 9 V V ±12 TA=25°C Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage THERMAL CHARACTERISTICS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted) Drain Current-Continuous a -Pulsed b A Maximum Power Dissipation a Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG 100 Thermal Resistance, Junction-to-Ambient R JA a TA=25°C Limit TA=70°C A 2.1 0.8 W TA=70°C °C/W PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) (m Ω) Max 30V 2.6A 107 @ VGS=4.5V 94 @ VGS=10V 139 @ VGS=2.5V ESD Protected. S G D |
Số phần tương tự - STS3116E |
|
Mô tả tương tự - STS3116E |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |