STM4800S datasheet(2/8 Pages) SAMHOP

tên linh kiện	STM4800S

Giải thích chi tiết về linh kiện	S uper high dense cell design for low R DS (ON).

Download	8 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	SAMHOP [SamHop Microelectronics Corp.]

Trang chủ	http://www.samhop.com.tw

Logo

2 / 8 page

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ Max Unit

OFF CHAR ACTE R IS TICS

Drain-S ource Breakdown Voltage

BVDSS

=

VGS 0V, ID 250uA

=

30

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS 24V, VGS 0V

==

1

Gate-Body Leakage

IGSS

VGS

20V, VDS 0V

=

100 nA

ON CHAR ACTE R IS TICS

b

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS VGS,ID = 250uA

=

11.7

3

V

Drain-S ource On-S tate R esistance

R DS(ON)

VGS 10V, ID 8A

15

VGS 4.5V, ID 7A

19

On-S tate Drain Current

ID(ON)

VDS = 10V, VGS =10V

A

S

Forward Transconductance

FS

g

VDS 10V, ID 8A

DYNAMIC CHAR ACTE R IS TICS

c

Input Capacitance

CISS

CRSS

COSS

Output Capacitance

R everse Transfer Capacitance

VDS =15V, VGS =0V

f=1.0MHZ

P

F

P

F

P

F

S WITCHING CHAR ACTE R IS TICS

c

Turn-On Delay Time

Rise Time

Turn-Off Delay Time

tD(ON)

tr

tD(OFF)

tf

VDD = 15V

ID =1 A

VGS = 10V

R GEN =6 ohm

ns

Total Gate Charge

Gate-S ource Charge

Gate-Drain Charge

Qg

Qgs

Qgd

VDS =15V, ID =8A

VGS =10V

nC

C

Fall Time

=

==

2

5

uA

mohm

VDS =15V, ID =8A,VGS =10V

nC

VDS =15V, ID =8A,VGS =4.5V

10

60

177

820

15

9

36

11

10

4.7

2.2

7.7

17

ohm

Rg

Gate resistance

VGS =0V, VDS = 0V, f=1.0MHZ

2.6

S T M4800S

ELEC TR IC AL C HAR AC TE R ISTIC S (TA=25 C unless otherwise noted)

20

28

Số phần tương tự - STM4800S

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
VBsemi Electronics Co.,...	STM4800S	1Mb / 9P	N-Channel 20V (D-S) MOSFET

More results

Mô tả tương tự - STM4800S

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SamHop Microelectronics...	STS2306E	141Kb / 7P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	STUD2030PLS	131Kb / 9P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	SDT02N02	129Kb / 7P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	STUD302S	110Kb / 9P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	STUD303S	190Kb / 8P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	STM4470A	123Kb / 7P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	STUD3055L	125Kb / 8P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	STA6968	118Kb / 6P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	STUD410S	90Kb / 8P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	STUD428S	100Kb / 9P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).
	STUD1530PL	103Kb / 8P	S uper high dense cell design for low R DS (ON).

More results

STM4800S bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - SamHop Microelectronics Corp.

STM4800S bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - SamHop Microelectronics Corp.

Số phần tương tự - STM4800S

Mô tả tương tự - STM4800S

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8

bảng dữ liệu tải về

Link URL