công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STK900 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
STK900 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
1 / 7 page S mHop Microelectronics C orp. a Symbol VDS VGS IDM W A PD °C 1.25 -55 to 150 ID Units Parameter 100 1 3.16 V V ±20 TA=25°C Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage THERMAL CHARACTERISTICS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted) Limit Drain Current-Continuous -Pulsed a Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG www.samhop.com.tw Jun,22,2011 1 Details are subject to change without notice. TA=25°C A 100 °C/W Thermal Resistance, Junction-to-Ambient R JA D G D S SOT-89 TA=70°C A 0.8 TA=70°C W 0.8 EAS mJ Single Pulse Avalanche Energy c 1.1 STK900 Gre rr P Pr P P o rr PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) ( Ω)Max 100V 1A 2.2 @ VGS=4.5V 1.9 @ VGS=10V S G D Suface Mount Package. FEATURES Super high dense cell design for low RDS(ON). Rugged and reliable. ESD Protected. Ver 1.0 d |
Số phần tương tự - STK900 |
|
Mô tả tương tự - STK900 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |