công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STL3NK40 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STL3NK40 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 16 page DocID16246 Rev 2 5/16 STL3NK40 Electrical characteristics 16 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) Turn-on delay time VDD = 200 V, ID = 0.7 A, RG =4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 14) -3 - ns tr Rise time - 4 - ns td(off) Turn-off-delay time - 18 - ns tf Fall time - 16 - ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 0.43 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) - 1.72 A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 0.43 A, VGS = 0 - 1.2 V trr Reverse recovery time ISD = 1.4 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 20 V (see Figure 19) - 166 ns Qrr Reverse recovery charge - 300 nC IRRM Reverse recovery current - 3.6 A trr Reverse recovery time ISD = 1.4 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 20 V, Tj = 150 °C (see Figure 19) - 176 ns Qrr Reverse recovery charge - 340 nC IRRM Reverse recovery current - 3.8 A |
Số phần tương tự - STL3NK40 |
|
Mô tả tương tự - STL3NK40 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |