công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BF1100_2015 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
|
BF1100_2015 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
6 / 14 page 1995 Apr 25 6 Philips Semiconductors Product specification Dual-gate MOS-FETs BF1100; BF1100R Fig.7 Output characteristics; typical values. VG2-S =4V. Tj =25 °C. handbook, halfpage 0 20 16 4 8 12 0 416 MLD159 812 I D (mA) V (V) DS 1.3 V 1.2 V 1.1 V 1.0 V 0.9 V V = 1.4 V G1 S Fig.8 Transfer characteristics; typical values. VDS = 9 to 12 V. Tj =25 °C. handbook, halfpage 0 20 16 4 8 12 0 0.4 2.0 MLD160 0.8 1.2 1.6 I D (mA) V (V) G1 S V = 4 V 2.5 V 2 V 1.5 V 1 V G2 S 3 V Fig.9 Gate 1 current as a function of gate 1 voltage; typical values. VDS = 9 to 12 V. Tj =25 °C. handbook, halfpage 01 23 250 200 150 50 0 100 MLD161 I G1 ( µA) V (V) G1 S 3 V 2.5 V 2 V 3.5 V V = 4 V G2 S Fig.10 Forward transfer admittance as a function of drain current; typical values. VDS = 9 to 12 V. Tj =25 °C. handbook, halfpage 0 40 20 30 10 0 10 20 30 MLD162 y fs (mS) I (mA) D 3 V 2.5 V 2 V V = 4 V G2 S 3.5 V |
Số phần tương tự - BF1100_2015 |
|
Mô tả tương tự - BF1100_2015 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |