công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SB1100 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd |
|
SB1100 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd |
3 / 5 page SANGDEST MICROELECTRONICS Technical Data Green Products Data Sheet N0873, Rev. - • Weiqi Street, Airport Development Zone, Jiangning District, Nanjing, China 211113 (86) 25-87123907 • • FAX (86) 25-87123900 • World Wide Web Site - http://www.sangdest.com.cn • E-Mail Address - sales@ sangdest.com.cn • SB1100 Electrical Characteristics: Characteristics Symbol Condition Max. Units VF1 @ 1.0A, Pulse, TJ = 25℃ 0.85 Max. Forward Voltage Drop VF2 @ 1.0A, Pulse, TJ = 125℃ 0.75 V Max. Reverse Current IR1 @VR = rated VR TJ = 25℃ 1.0 mA Typical Junction Capacitance Cj @VR = 5.0 V, Tc=25℃ fSIG = 1MHz 80 pF * Pulse Width < 300µs, Duty Cycle <2% Thermal-Mechanical Specifications: Characteristics Symbol Condition Specification Units Max. Junction Temperature TJ - -55 to +150 °C Max. Storage Temperature Tstg - -55 to +150 °C Maximum Thermal Resistance Junction to Case RθJC DC operation 15 °C/W Maximum Thermal Resistance, Case to Heat Sink RθJA DC operation 65 °C/W Approximate Weight wt - 0.35 g Case Style DO-41 |
Số phần tương tự - SB1100 |
|
Mô tả tương tự - SB1100 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |