công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STL56N3LLH5 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STL56N3LLH5 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 16 page STL56N3LLH5 Electrical characteristics Doc ID 18415 Rev 4 5/16 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current - 15 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) - 60 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration= 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 15 A, VGS=0 - 1.1 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 15 A, di/dt = 100 A/µs, VDD=25 V, Tj=150 °C - 20 10 1 36 18 ns nC A |
Số phần tương tự - STL56N3LLH5 |
|
Mô tả tương tự - STL56N3LLH5 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |