công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STN4828 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Stanson Technology |
|
STN4828 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Stanson Technology |
1 / 6 page STN4828 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 10.0A 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2007, Stanson Corp. STN4828 2008. V1 1 DESCRIPTION The STN4828 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application , notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching . PIN CONFIGURATION SOP-8 MARKING Y: Year Code A: Porduce Code P: Process Code FEATURE 60V/10.0A, RDS(ON) = 30mΩ (Typ.) @VGS = 10V 60V/6.0A, RDS(ON) = 35mΩ @VGS = 4.5V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability SOP-8 package design |
Số phần tương tự - STN4828 |
|
Mô tả tương tự - STN4828 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |