công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STN4130 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
|
STN4130 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 7 page STN4130 N Channel Enhancement Mode MOSFET 20.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2009, Stanson Corp. STN4130 2009. V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250mA 60 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 1 2.5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V 100 nA VDS=60V,VGS=0V 1 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=48V,VGS=0V TJ=55℃ 5 uA Drain-source On- Resistance RDS(on) VGS=10V,ID=20A VGS=4.5V,ID=20A 40 50 47 58 mΩ Forward Transconductance gfs VDS=5V,ID=20A 50 S Diode Forward Voltage VSD IS=1.0A,VGS=0V 0.78 1.0 V Dynamic Total Gate Charge Qg 34 Gate-Source Charge Qgs 16 Gate-Drain Charge Qgd VDS=10V,VDS=30V ID≡20A 5.4 nC Input Capacitance Ciss 1600 Output Capacitance Coss 100 Reverse TransferCapacitance Crss VDS =30V,VGS=0V F=1MHz 68 pF 7.5 Turn-On Time td(on) tr 6.5 33 Turn-Off Time td(off) tf VDS=30V, VGS=10V RL= 1.5Ω ID=5.0A,VGEN=3Ω 7.5 nS |
Số phần tương tự - STN4130 |
|
Mô tả tương tự - STN4130 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |