công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STN4110 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Stanson Technology |
|
STN4110 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Stanson Technology |
1 / 8 page STN4110 N Channel Enhancement Mode MOSFET 40.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com . STN4110 2010. V1 DESCRIPTION STN4110 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. PIN CONFIGURATION (D-PAK) TO-252 TO-251 PART MARKING Y: Year Code A: Date Code Q:Process Code FEATURE 60V/20.0A, RDS(ON) = 10m (Typ.) @VGS = 10V 60V/20.0A, RDS(ON) = 12m @VGS = 4.5V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability TO-252,TO-251 package design |
Số phần tương tự - STN4110 |
|
Mô tả tương tự - STN4110 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |