công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STN18T20 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
|
STN18T20 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 4 page STN18T20 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2008, Stanson Corp. STN18T20 2012. V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA 200 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 2 5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±30V ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=160V,VGS=0V 2 uA On-State Drain Current ID(on) VDS≧5V,VGS=10V 18 A Drain-source On- Resistance RDS(on) VGS=10V,ID=12A 170 220 mΩ Forward Transconductance gfs VDS=15V,ID=20A 8.5 S Diode Forward Voltage VSD IS=1A,VGS=0V 1 V Dynamic Total Gate Charge Qg VDS=160V,VGS=10V ID≡12 A 17.6 25 nC Gate-Source Charge Qgs 7.6 11 Gate-Drain Charge Qgd 3.7 5.2 Input Capacitance Ciss VDS =25,VGS=0V f=1MHz 1000 1400 pF Output Capacitance Coss 110 155 Reverse TransferCapacitance Crss 2.4 3.5 Turn-On Time td(on) tr VDS=100,RG=3.3 VGEN=10V, ID≡12 A RG=1.0Ω 9.4 19 nS 23 41 Turn-Off Time td(off) tf 18.4 37 15.6 21.8 |
Số phần tương tự - STN18T20 |
|
Mô tả tương tự - STN18T20 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |