công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STU16N65M5 bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - STMicroelectronics |
|
STU16N65M5 bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - STMicroelectronics |
8 / 20 page Electrical characteristics STF/I/P/U/W16N65M5 8/20 Doc ID 15210 Rev 4 Figure 14. Gate charge vs gate-source voltage Figure 15. Normalized on resistance vs temperature Figure 16. Normalized gate threshold voltage vs temperature Figure 17. Source-drain diode forward characteristics Figure 18. Switching losses vs gate resistance (1) 1. Eon including reverse recovery of a SiC diode VGS 6 4 2 0 0 10 Qg(nC) (V) 8 25 10 VDD=520V ID=6A 12 5 15 20 30 35 100 200 300 400 500 VDS AM03182v1 RDS(on) 1.7 1.5 1.3 0.5 -50 0 TJ(°C) (norm) 50 100 0.7 0.9 1.1 2.1 1.9 VGS=10V ID=6.5V AM03185v1 VGS(th) 1.00 0.90 0.80 0.70 -50 0 TJ(°C) (norm) 1.10 50 100 ID=250µA AM03184v1 VSD 0 5 ISD(A) (V) 10 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 TJ=25°C TJ=150°C TJ=-25°C AM03186v1 E 60 40 20 0 0 20 RG( Ω) ( μJ) 10 30 80 100 40 Eon Eoff AM10359v1 |
Số phần tương tự - STU16N65M5 |
|
Mô tả tương tự - STU16N65M5 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |