công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB18NM60N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB18NM60N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 18 page STB/F/I/P/W18NM60N Electrical characteristics Doc ID 15868 Rev 3 5/18 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) - 13 52 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 13 A, VGS=0 - 1.6 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD =13 A, di/dt =100 A/µs, VDD = 60 V (see Figure 19) - 300 4.0 25 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current VDD = 60 V di/dt =100 A/µs, ISD = 13 A Tj = 150°C (see Figure 19) - 360 4.5 25 ns µC A |
Số phần tương tự - STB18NM60N |
|
Mô tả tương tự - STB18NM60N |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |