công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP200N6F3 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STP200N6F3 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 16 page STB200N6F3, STI200N6F3, STP200N6F3 Electrical characteristics Doc ID 15606 Rev 2 5/16 Table 6. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) - 120 480 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=120 A, VGS=0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=120 A, di/dt = 100 A/µs, VDD=48 V, Tj=150 °C (see Figure 17) - 67 177.6 5.3 ns nC A |
Số phần tương tự - STP200N6F3 |
|
Mô tả tương tự - STP200N6F3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |