công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB200N6F3 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STB200N6F3 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 16 page STB200N6F3, STI200N6F3, STP200N6F3 Electrical ratings Doc ID 15606 Rev 2 3/16 1 Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source voltage (VGS=0) 60 V VGS Gate-source voltage ± 20 V ID (1) 1. Current limited by package. Drain current (continuous) at TC = 25°C 120 A ID (1) Drain current (continuous) at TC=100°C 120 A IDM (2) 2. Pulse width limited by safe operating area. Drain current (pulsed) 480 A PTOT Total dissipation at TC = 25°C 330 W Derating factor 2.2 W/°C EAS (3) 3. Starting Tj = 25 °C, ID = 60 A, VDD = 35 V (see Figure 18 and Figure 19) Single pulse avalanche energy 918 mJ Tj Tstg Operating junction temperature storage temperature -55 To 175 °C Table 3. Thermal data Symbol Parameter TO-220/I²PAK D²PAK Unit Rthj-case Thermal resistance junction-case 0.45 °C/W Rthj-a Thermal resistance junction-ambient max 62.5 °C/W Rthj-pcb(1) 1. When mounted on 1 inch² FR4 2oz Cu. Thermal resistance junction-ambient max 50 °C/W Tl Maximum lead temperature for soldering purpose 300 °C |
Số phần tương tự - STB200N6F3 |
|
Mô tả tương tự - STB200N6F3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |