công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STF34N65M5 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STF34N65M5 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 22 page DocID022853 Rev 3 5/22 STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5 Electrical characteristics 22 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td (v) Voltage delay time VDD = 400 V, ID = 18 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 19 and Figure 22) -59 - ns tr (v) Voltage rise time - 8.7 - ns tf (i) Current fall time - 7.5 - ns tc(off) Crossing time - 12 - ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 28 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) - 112 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 28 A, VGS = 0 - 1.5 V trr Reverse recovery time ISD = 28 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 100 V (see Figure 22) - 350 ns Qrr Reverse recovery charge - 5.6 µC IRRM Reverse recovery current - 32 A trr Reverse recovery time ISD = 28 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 100 V, Tj = 150 °C (see Figure 22) - 422 ns Qrr Reverse recovery charge - 7.4 µC IRRM Reverse recovery current - 35 A |
Số phần tương tự - STF34N65M5 |
|
Mô tả tương tự - STF34N65M5 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |