công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP38N65M5 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - STMicroelectronics |
|
STP38N65M5 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - STMicroelectronics |
6 / 22 page Electrical characteristics STB38N65M5, STF38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5 6/22 DocID022851 Rev 3 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit t d (v) t r (v) t f (i) t c(off) Voltage delay time Voltage rise time Current fall time Crossing time V DD = 400 V, I D = 20 A, R G = 4.7 Ω, V GS = 10 V (see Figure 21 and Figure 24) - 66 9 9 13 - ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit I SD I SDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current Source-drain current (pulsed) - 30 120 A A V SD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5% Forward on voltage I SD = 30 A, V GS = 0 - 1.5 V t rr Q rr I RRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current I SD = 30 A, di/dt = 100 A/μs V DD = 100 V (see Figure 24) - 382 6.6 35 ns μC A t rr Q rr I RRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current I SD = 30 A, di/dt = 100 A/μs V DD = 100 V, T j = 150 °C (see Figure 24) - 522 10.3 40 ns μC A |
Số phần tương tự - STP38N65M5 |
|
Mô tả tương tự - STP38N65M5 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |