NE33200 datasheet(2/7 Pages) CEL

tên linh kiện	NE33200

Giải thích chi tiết về linh kiện	SUPER LOW NOISE HJ FET

Download	7 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	CEL [California Eastern Labs]

Trang chủ	http://www.cel.com

Logo

2 / 7 page

SYMBOLS

PARAMETERS

UNITS

RATINGS

VDS

Drain to Source Voltage

V

4.0

VGS

Gate to Source Voltage

V

-3.0

IDS

Drain Current

mA

IDSS

IGRF

Gate Current

µA

280

RF Input (CW)

dBm

15

TCH

Channel Temperature

°C

175

TSTG

Storage Temperature

°C

-65 to +175

PT2

Total Power Dissipation

mW

240

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)

TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

Ambient Temperature, TA (

°C)

FREQ.

NFOPT

GA

ΓOPT

(GHz)

(dB)

MAG

ANG

Rn/50

1

0.29

21.3

0.82

8

0.39

2

0.31

18.3

0.81

17

0.36

4

0.35

15.3

0.76

41

0.33

6

0.42

13.5

0.71

63

0.30

8

0.52

12.2

0.64

77

0.27

10

0.63

11.3

0.55

95

0.24

12

0.75

10.5

0.48

112

0.22

14

0.9

9.9

0.41

130

0.19

16

1.05

9.3

0.37

144

0.18

18

1.25

8.8

0.35

164

0.15

20

1.5

8.3

0.37

180

0.13

22

1.8

7.9

0.38

-166

0.11

24

2.2

7.6

0.39

-154

0.10

26

2.6

7.3

0.40

-142

0.08

TYPICAL NOISE PARAMETERS1 (TA = 25°C)

VDS = 2 V, IDS = 10 mA

Note:

1.Operation in excess of any one of these parameters may result in

permanent damage.

2.With chip mounted on infinite heat sink.

Drain Current, IDS (mA)

NOISE FIGURE and GAIN

vs. DRAIN CURRENT

VDS = 2 V, f = 12 GHz

Note:

1.Noise Parameters include Bond Wires:

Gate:

Total 2 wires, 1 per bond pad 0.0129" (327

µm)

long each wire.

Drain:

Total 2 wires, 1 per bond pad 0.0118" (300

µm)

long each wire.

Source: Total 4 wires, 2 per side, 0.0071" (180

µm)

long each wire.

Wire:

0.0007" (17.8

µm) dia. gold.

DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

TRANSCONDUCTANCE vs. DRAIN CURRENT

VDS = 2.0 V

Drain to Source Voltage, VDS (V)

Drain Current, IDS (mA)

NE33200

0

50

100

150

200

250

50

100 117

150

200

250

Mounted on

Infinite

Heat sink

GA

NF

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

5

10

15

20

25

30

35

40

6

8

10

12

14

16

Tuned at each IDS

Tuned at 10 mA only

50

40

30

20

10

0

0.5

-0.1 V

-0.2 V

-0.3 V

-0.4 V

-0.5 V

1

1.5

2

2.5

3

VGS = 0 V

120

100

80

60

40

20

0

10

20

304050

Số phần tương tự - NE33200

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NEC	NE33200	85Kb / 7P	SUPER LOW NOISE HJ FET
	NE33200M	85Kb / 7P	SUPER LOW NOISE HJ FET
	NE33200N	85Kb / 7P	SUPER LOW NOISE HJ FET

More results

Mô tả tương tự - NE33200

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
California Eastern Labs	NE23300	58Kb / 5P	SUPER LOW NOISE HJ FET
California Eastern Labs	NE33284	54Kb / 5P	SUPER LOW NOISE HJ FET
NEC	NE33284A	53Kb / 5P	SUPER LOW NOISE HJ FET
NEC	NE33200N	85Kb / 7P	SUPER LOW NOISE HJ FET
California Eastern Labs	NE3210S01	414Kb / 7P	SUPER LOW NOISE HJ FET
California Eastern Labs	NE4210S01	252Kb / 7P	SUPER LOW NOISE HJ FET
NEC	NE334S01	46Kb / 6P	C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
NEC	NE434S01	41Kb / 5P	C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
California Eastern Labs	NE334S01	46Kb / 6P	C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
NEC	NE23300	53Kb / 5P	SUPER LOW NOISE HJ FET (SPACE QUALIFIED)

More results

NE33200 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - California Eastern Labs

NE33200 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - California Eastern Labs

Số phần tương tự - NE33200

Mô tả tương tự - NE33200

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7

bảng dữ liệu tải về

Link URL