công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP45N65M5 bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - STMicroelectronics |
|
STP45N65M5 bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - STMicroelectronics |
8 / 20 page Electrical characteristics STB45N65M5, STF45N65M5, STP45N65M5 8/20 DocID022854 Rev 4 Figure 14. Drain-source diode forward characteristics Figure 15. Normalized VDS vs. temperature Figure 16. Switching losses vs. gate resistance (1) 1. Eon including reverse recovery of a SiC diode VSD 0 20 ISD(A) (V) 10 50 30 40 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 TJ=-50°C TJ=150°C TJ=25°C AM05461v1 VDS -50 0 TJ(°C) (norm) -25 75 25 50 100 0.92 0.94 0.96 0.98 1.00 1.04 1.06 1.02 ID = 1mA 1.08 AM10399v1 E 300 200 100 0 0 20 RG( Ω) ( μJ) 10 30 400 500 600 40 ID=23A VDD=400V Eon Eoff VGS=10V AM13086v1 |
Số phần tương tự - STP45N65M5 |
|
Mô tả tương tự - STP45N65M5 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |