công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MTBC7N10N3 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
MTBC7N10N3 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
5 / 9 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C886N3 Issued Date : 2012.11.14 Revised Date : Page No. : 5/9 MTBC7N10N3 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) Maximum Safe Operating Area 0.001 0.01 0.1 1 10 0.1 1 10 100 1000 VDS, Drain-Source Voltage(V) DC 10ms 100ms 1ms 100μs TA=25°C, Tj=150°C, VGS=10V, RθJA=125°C/W Single Pulse RDS(ON) Limited Maximum Drain Current vs JunctionTemperature 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 25 50 75 100 125 150 175 Tj, Junction Temperature(°C) TA=25°C, VGS=10V Power Derating Curve 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 0 50 100 150 200 TA, Ambient Temperature(℃) Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm) Single Pulse Maximum Power Dissipation 0 10 20 30 40 50 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 Pulse Width(s) TJ(MAX)=150°C TA=25°C θJA=125°C/W |
Số phần tương tự - MTBC7N10N3 |
|
Mô tả tương tự - MTBC7N10N3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |