công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MTBA5C10AQ8 bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
MTBA5C10AQ8 bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - Cystech Electonics Corp. |
8 / 12 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C744Q8 Issued Date : 2009.10.16 Revised Date : 2014.01.03 Page No. : 8/12 MTBA5C10AQ8 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) : Q2(P-channel) Capacitance vs Drain-to-Source Voltage 10 100 1000 10000 0.1 1 10 100 -VDS, Drain-Source Voltage(V) C oss Ciss Crss Threshold Voltage vs Junction Tempearture 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 -60 -20 20 60 100 140 Tj, Junction Temperature(°C) -ID=250μA Forward Transfer Admittance vs Drain Current 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 -ID, Drain Current(A) -VDS=5V Pulsed Ta=25°C Gate Charge Characteristics 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12162024 Qg, Total Gate Charge(nC) ID=-1.5A VDS=-50V VDS=-80V Maximum Safe Operating Area 0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -VDS, Drain-Source Voltage(V) TA=25°C, Tj=150°C VGS=10V, θJA=135°C/W Single Pulse DC RDSON Limite 100μs 1ms 10ms 100ms 1s Maximum Drain Current vs Case Temperature 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 25 50 75 100 125 150 175 Tj, Junction Temperature(°C) TA=25°C -VGS=10V RθJA=78°C/W |
Số phần tương tự - MTBA5C10AQ8 |
|
Mô tả tương tự - MTBA5C10AQ8 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |