công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MTB04N03AQ8 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
MTB04N03AQ8 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
5 / 9 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C889Q8 Issued Date : 2013.12.02 Revised Date : Page No. : 5/9 MTB04N03AQ8 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) Capacitance vs Drain-to-Source Voltage 100 1000 10000 0.1 1 10 100 VDS, Drain-Source Voltage(V) C oss Ciss Crss Threshold Voltage vs Junction Tempearture 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 Tj, Junction Temperature(°C) ID=250μA ID=1mA Forward Transfer Admittance vs Drain Current 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 ID, Drain Current(A) VDS=5V Pulsed Ta=25°C Gate Charge Characteristics 0 2 4 6 8 10 0 10 2030 4050 60 Qg, Total Gate Charge(nC) VDS=15V ID=18A Maximum Safe Operating Area 0.01 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 VDS, Drain-Source Voltage(V) DC 10ms 100m 1ms 100μs 10μs RDS(ON ) Limit TA=25°C, Tj=150°C VGS=10V, RθJA=50°C/W Single Pulse Maximum Drain Current vs Case Temperature 0 5 10 15 20 25 25 50 75 100 125 150 175 TC, Case Temperature(°C) VGS=10V, RθJC=25°C/W |
Số phần tương tự - MTB04N03AQ8 |
|
Mô tả tương tự - MTB04N03AQ8 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |