công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MTB02N03J3 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
MTB02N03J3 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
5 / 9 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C575J3 Issued Date : 2012.01.03 Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 5/ 9 MTB02N03J3 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) Threshold Voltage vs Junction Tempearture 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 -60 -20 20 60 100 140 Tj, Junction Temperature(°C) ID=250μA Capacitance vs Drain-to-Source Voltage 100 1000 10000 0.1 1 10 100 VDS, Drain-Source Voltage(V) C oss Ciss Crss Forward Transfer Admittance vs Drain Current 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 ID, Drain Current(A) VDS=10V Pulsed Ta=25°C Gate Charge Characteristics 0 2 4 6 8 10 0 20406080 100 120 Total Gate Charge---Qg(nC) VDS=15V ID=45A Maximum Safe Operating Area 0.1 1 10 100 1000 0.01 0.1 1 10 100 VDS, Drain-Source Voltage(V) DC 10ms 100m 1ms 100μs 10μs RDS(ON) Limit Maximum Drain Current vs Case Temperature 0 20 40 60 80 100 120 140 160 25 50 75 100 125 150 175 TC, Case Temperature(°C) |
Số phần tương tự - MTB02N03J3 |
|
Mô tả tương tự - MTB02N03J3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |