công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP8NM60ND bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STP8NM60ND bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 17 page STx8NM60ND Electrical characteristics 5/17 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD = 300 V, ID = 7 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V Figure 18, Figure 23 9 22 37 22 ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 7 28 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 7 A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 7 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 30 V, Figure 20 120 0.49 8 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 7 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 30 V, Tj=150°C Figure 20 170 0.75 9 ns µC A |
Số phần tương tự - STP8NM60ND |
|
Mô tả tương tự - STP8NM60ND |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |