công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STF11NM50N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STF11NM50N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 16 page STD11NM50N, STF11NM50N, STP11NM50N Electrical characteristics Doc ID 17156 Rev 3 5/16 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD = 250 V, ID = 4.25 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 19) - 8 10 33 10 - ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) - 8.5 34 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 8.5 A, VGS = 0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 8.5 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 60 V (see Figure 22) - 230 2.1 18 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 8.5 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 60 V, Tj = 150 °C (see Figure 22) - 275 2.5 18 ns µC A |
Số phần tương tự - STF11NM50N |
|
Mô tả tương tự - STF11NM50N |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |