công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STW120NF10 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STW120NF10 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 21 page Electrical characteristics STB/F/PW120NF10 4/21 Doc ID 9522 Rev 7 2 Electrical characteristics (TCASE = 25 °C unless otherwise specified) Table 4. On/off states Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage ID = 250 µA, VGS= 0 100 V IDSS Zero gate voltage drain current (VGS = 0) VDS = Max rating, VDS = Max rating@125°C 1 10 µA µA IGSS Gate body leakage current (VDS = 0) VGS = ±20 V ± 100 nA VGS(th) Gate threshold voltage VDS= VGS, ID = 250 µA 24 V RDS(on) Static drain-source on resistance VGS= 10V, ID= 60 A (1) 1. For TO-220FP ID = 40 A 0.009 0.0105 Ω Table 5. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit gfs (1) 1. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward transconductance VDS =25 V, ID = 60 A -90 S Ciss Coss Crss Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance VDS =25 V, f=1 MHz, VGS=0 - 5200 785 325 pF pF pF Qg Qgs Qgd Total gate charge Gate-source charge Gate-drain charge VDD=80 V, ID = 120 A VGS =10 V (see Figure 16) - 172 32 64 233 nC nC nC |
Số phần tương tự - STW120NF10 |
|
Mô tả tương tự - STW120NF10 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |