công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP10N60M2 bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - STMicroelectronics |
|
STP10N60M2 bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - STMicroelectronics |
7 / 24 page DocID024710 Rev 2 7/24 STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 Electrical characteristics Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Static drain-source on-resistance Figure 10. Capacitance variations Figure 11. Normalized gate threshold voltage vs. temperature Figure 12. Normalized on-resistance vs temperature Figure 13. Source-drain diode forward characteristics VGS 6 4 2 0 0 Qg(nC) (V) 2 8 10 VDD=480V 300 200 100 0 400 VDS 4 500 VDS (V) ID=7.5A 6 8 10 12 12 AM15825v1 RDS(on) 0.56 0.55 0.54 0.53 2 ID(A) ( Ω) 1 3 0.57 4 5 VGS=10V 0.58 6 7 AM15826v1 C 10 1 0.1 0.1 10 VDS(V) (pF) 1 100 Ciss Coss Crss 100 1000 AM15827v1 VGS(th) 0.8 0.7 TJ(°C) (norm) -50 0.9 -25 50 100 0 25 75 125 1.0 1.1 ID=250 µA AM15828v1 RDS(on) 1.3 1.1 0.9 0.7 TJ(°C) (norm) 0.5 -50 -25 0 25 ID=3 A 50 75 100 125 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 AM15829v1 VSD 0 2 ISD(A) (V) 1 5 3 4 0 0.2 0.4 0.6 TJ=-50°C TJ=150°C TJ=25°C 0.8 6 7 1 1.2 1.4 AM15830v1 |
Số phần tương tự - STP10N60M2 |
|
Mô tả tương tự - STP10N60M2 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |