2SC1812 datasheet(1/1 Pages) WINNERJOIN

tên linh kiện	2SC1812

Giải thích chi tiết về linh kiện	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Download	1 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	WINNERJOIN [SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD]

Trang chủ	http://www.wej.cn

Logo

1 / 1 page

WEJ

ELECTRONIC

CO.,LTD

AM/FM IF AMPLIFIER,LOCAL OSCILATOR

OF FM/VHF TUNER

High Current Gain Bandwidth

Product f =1100MHz

T

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Ta=25 C)

o

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ta=25 C*

o

V

Ic

P

T

CBO

CEO

EBO

D

j

stg

30

15

5

50

225

150

-55~150

V

mA

mW

C

O

C

Characteristic

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2 S C 1 8 1 2

Electrical Characteristics

(Ta=25 C)

o

Parameter

Symbol

Condition

Unit

MAX.

TYP.

MIN.

Emitter-Base Breakdown Voltage

-Base Cutoff Current

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage#

Collector

Emitter-Base Cutoff Current

Collector-Base Capacitance

Collector-Gain-Bandwidth Product

CEO

EBO

FE

CE(sat)

BV

I

V

Cob

BV

I

f

CBO

EBO

CBO

T

H

I =100 A

I =1mA

I =100 A

C

E

I =0

V

=12V, V =0

V

=3V, I =0

V

=5V, I =1mA

I =10mA, I =1mA

V

=10V, I =10,f=1MHz

V

=5V, I =5mA

E

B

C

CB

E

CB

C

CB

C

B

CB

E

CE

C

V

nA

30

15

5

28

50

300

0.5

1.7

V

*Total Device

Pulse Test: Pulse Width 300uS Duty cycle 2%

DEVICE MARKING:

2SC1812=J8

#

Dissipation:FR=1X0.75X0.062 in Board Derate 25 C

o

700

100

1.3

1100

PF

MHz

3

1

2

SOT-23

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

1.

1.3

2.4

Unit:mm

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

RoHS

Số phần tương tự - 2SC1812

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SC1812	93Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

More results

Mô tả tương tự - 2SC1812

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Samsung semiconductor	MMBC1623L6	29Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	FJY3008R	291Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJY3015R	290Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	BC817	162Kb / 5P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJY3003R	291Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
List of Unclassifed Man...	PJD882	184Kb / 3P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
Continental Device Indi...	CSC2120	87Kb / 3P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
	CD9581	113Kb / 3P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
	CSD545	182Kb / 3P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Samsung semiconductor	BCX70G	34Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Seme LAB	2N5014	15Kb / 1P	SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

More results

2SC1812 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

2SC1812 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

Số phần tương tự - 2SC1812

Mô tả tương tự - 2SC1812

Html Pages

1

bảng dữ liệu tải về

Link URL