BUK761R7-40E datasheet(5/13 Pages) NXP

tên linh kiện	BUK761R7-40E

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-channel TrenchMOS standard level FET

Download	13 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	NXP [NXP Semiconductors]

Trang chủ	http://www.nxp.com

Logo

5 / 13 page

NXP Semiconductors

BUK761R7-40E

N-channel TrenchMOS standard level FET

BUK761R7-40E

All information provided in this document is subject to legal disclaimers.

Product data sheet

13 July 2012

5 / 13

003aah078

single shot

0.2

0.1

0.05

10-3

10-2

10-1

1

10-6

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

1

tp(s)

Zth(j-mb)

(K/W)

δ = 0.5

0.02

tp

T

P

t

tp

T

δ =

Fig. 5. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration

7. Characteristics

Table 7.

Characteristics

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Static characteristics

ID = 250 µA; VGS = 0 V; Tj = 25 °C

40

-

V

V(BR)DSS

drain-source

breakdown voltage

ID = 250 µA; VGS = 0 V; Tj = -55 °C

36

-

V

ID = 1 mA; VDS = VGS; Tj = 25 °C;

Fig. 9; Fig. 10

2.4

3

4

V

ID = 1 mA; VDS = VGS; Tj = -55 °C;

Fig. 10

-

4.5

V

VGS(th)

gate-source threshold

voltage

ID = 1 mA; VDS = VGS; Tj = 175 °C;

Fig. 10

1

-

V

VDS = 40 V; VGS = 0 V; Tj = 25 °C

-

0.27

3

µA

IDSS

drain leakage current

VDS = 40 V; VGS = 0 V; Tj = 175 °C

-

500

µA

VGS = 20 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C

-

2

100

nA

IGSS

gate leakage current

VGS = -20 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C

-

2

100

nA

VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;

Fig. 11

-

1.3

1.6

mΩ

RDSon

drain-source on-state

resistance

VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 175 °C;

Fig. 12; Fig. 11

-

3

mΩ

Dynamic characteristics

QG(tot)

total gate charge

-

118

-

nC

QGS

gate-source charge

-

29.3

-

nC

QGD

gate-drain charge

ID = 25 A; VDS = 32 V; VGS = 10 V;

Fig. 13; Fig. 14

-

34.7

-

nC

Số phần tương tự - BUK761R7-40E

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Nexperia B.V. All right...	BUK761R7-40E	719Kb / 13P	N-channel TrenchMOS standard level FET 19 May 2016

More results

Mô tả tương tự - BUK761R7-40E

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NXP Semiconductors	BUK7675-55A	272Kb / 12P	N-channel TrenchMOS standard level FETN-channel TrenchMOS standard level FET 25 August 2014
	PHP34NQ11T	91Kb / 12P	N-channel TrenchMOS??standard level FET Rev. 01-17 May 2004
	BUK7C06-40AITE	109Kb / 14P	N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 04-23 June 2005
	PH20100S	183Kb / 12P	N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03-2 February 2009
	PHB29N08T	189Kb / 12P	N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03-13 October 2009
	PHB47NQ10T	205Kb / 13P	N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02-25 February 2010
	PHB119NQ06T	191Kb / 13P	N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02-15 April 2010
	PHD20N06T	379Kb / 12P	N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02-1 December 2009
	PMZ350XN	91Kb / 13P	N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01-21 February 2008
	PHP23NQ11T	220Kb / 13P	N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02-25 February 2010
	PHP3055E	248Kb / 14P	N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 07-26 February 2010

More results

BUK761R7-40E bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors

BUK761R7-40E bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors

Số phần tương tự - BUK761R7-40E

Mô tả tương tự - BUK761R7-40E

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

bảng dữ liệu tải về

Link URL