TP0202K-T1-GE3 datasheet(2/8 Pages) VISHAY

tên linh kiện	TP0202K-T1-GE3

Giải thích chi tiết về linh kiện	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Download	8 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	VISHAY [Vishay Siliconix]

Trang chủ	http://www.vishay.com

Logo

2 / 8 page

www.vishay.com

2

Document Number: 71609

S-83053-Rev. E, 29-Dec-08

Vishay Siliconix

TP0202K

Notes:

a. Pulse test: PW

≤ 300 µs duty cycle ≤ 2 %.

b. Switching time is essentially independent of operating temperature.

Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation

of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

SPECIFICATIONS TA = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Test Conditions

Limits

Unit

Min.

Typ.

Max.

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

VDS

VGS = 0 V, ID = - 100 µA

- 30

- 38

V

Gate-Threshold Voltage

VGS(th)

VDS = VGS, ID = - 250 µA

- 1.3

- 2

- 3.0

Gate-Body Leakage

IGSS

VDS = 0 V, VGS = ± 5 V

± 50

nA

VDS = 0 V, VGS = ± 10 V

± 300

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS = - 30 V, VGS = 0 V

- 100

VDS = - 30 V, VGS = 0 V, TJ = 85 °C

- 10

µA

On-State Drain Currenta

ID(on)

VGS = - 10 V, VDS = - 10 V

- 500

mA

Drain-Source On-Resistancea

RDS(on)

VGS = - 4.5 V, ID = - 50 mA

2.1

3.5

Ω

VGS = - 10 V, ID = - 500 mA

1.25

1.4

Forward Transconductancea

gfs

VDS = - 5 V, ID = - 200 mA

315

mS

Diode Forward Voltagea

VSD

IS = - 250 mA, VGS = 0 V

- 1.2

V

Dynamic

Total Gate Charge

Qg

VDS = - 16 V, VGS = - 10 V

ID ≅ - 200 mA

1000

pC

Gate-Source Charge

Qgs

225

Gate-Drain Charge

Qgd

175

Input Capacitance

Ciss

VDS = - 15 V, VGS = 0 V

f = 1 MHz

31

pF

Output Capacitance

Coss

11

Reverse Transfer Capacitance

Crss

4

Switchingb

Turn-On Time

td(on)

VDD = - 15 V, RL = 75 Ω

ID ≅ - 200 mA, VGEN = - 10 V, RG = 6 Ω

9

ns

tr

6

Turn-Off Time

td(off)

30

tf

20

Số phần tương tự - TP0202K-T1-GE3

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Vishay Siliconix	TP0202K-T1-GE3	202Kb / 4P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. B, 02-Jan-06
VBsemi Electronics Co.,...	TP0202K-T1-GE3	1Mb / 7P	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

More results

Mô tả tương tự - TP0202K-T1-GE3

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Vishay Siliconix	SI2341DS	43Kb / 5P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. B, 11-Aug-03
Vishay Siliconix	SI4835BDY	90Kb / 6P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. D, 25-Oct-0
Anachip Corp	AF4407	263Kb / 5P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI7423DN	173Kb / 3P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 24-May-04
	SI2303ADS	39Kb / 4P	P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET Rev. B, 29-Apr-02
	SI3481DV	67Kb / 5P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. B, 16-Feb-04
DinTek Semiconductor Co...	DTM4415	286Kb / 9P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI4435DDY-T1-GE3	279Kb / 10P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. C, 18-May-09
	SI7121DN	552Kb / 13P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. C, 23-Jun-08
	SI4825DDY-T1	242Kb / 10P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. A, 13-Oct-08
	SI7129DN	566Kb / 13P	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Rev. B, 06-Sep-10

More results

TP0202K-T1-GE3 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix

TP0202K-T1-GE3 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix

Số phần tương tự - TP0202K-T1-GE3

Mô tả tương tự - TP0202K-T1-GE3

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8

bảng dữ liệu tải về

Link URL