công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STF32N65M5 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STF32N65M5 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 22 page STB/F/I/P/W32N65M5 Electrical characteristics Doc ID 15316 Rev 4 5/22 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(off) tr tc tf Turn-off delay time Rise time Cross time Fall time VDD = 400 V, ID = 15 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 21) - 53 12 29 16 - ns ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) - 24 96 A A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 24 A, VGS = 0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 24 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 60 V (see Figure 21) - 375 6 33 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 24 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 60 V, Tj = 150 °C (see Figure 21) - 440 8 36 ns µC A |
Số phần tương tự - STF32N65M5 |
|
Mô tả tương tự - STF32N65M5 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |