công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STU12N65M5 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STU12N65M5 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 23 page STD/F/I/P/U12N65M5 Electrical characteristics Doc ID 15428 Rev 5 5/23 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit td (v) tr (v) tf (i) tc(off) Voltage delay time Voltage rise time Current fall time Crossing time VDD = 400 V, ID = 5 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 21 and Figure 24) - 22.6 17.6 15.6 23.4 - ns ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 8.5 34 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 8.5 A, VGS = 0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 8.5 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 100 V (see Figure 24) 230 2.2 19 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 8.5 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 100 V, Tj = 150 °C (see Figure 24) 280 2.7 19 ns µC A |
Số phần tương tự - STU12N65M5 |
|
Mô tả tương tự - STU12N65M5 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |