công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDN358P bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FDN358P bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
3 / 4 page FDN358P Rev.D 0 1 2 3 4 5 0 2 4 6 8 10 -V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) V = -10V GS -5.0 DS -4.0 -3.0 -3.5 -6.0 -4.5 0 2 4 6 8 10 1 1.5 2 2.5 -I , DRAIN CURRENT (A) V = -4.0V GS D -6.0 -5.0 -4.5 -10 -7.0 -8.0 Typical Electrical Characteristics Figure 1. On-Region Characteristics. Figure 2. On-Resistance Variation with Drain Current and Gate -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 T , JUNCTION TEMPERATURE (°C) J V = -10V GS I = -1.5A D Figure 3. On-Resistance Variation with Temperature. 1 2 3 4 5 6 0 2 4 6 8 10 -V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) V = -5V DS GS T = -55°C A 125°C 25°C Figure 5. Transfer Characteristics. 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 -V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V) 25°C -55°C V = 0V GS SD T = 125°C J Figure 4. On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 2 4 6 8 10 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 -V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) GS T = 125°C A T = 25°C A I = 0.75A D Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature. |
Số phần tương tự - FDN358P |
|
Mô tả tương tự - FDN358P |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |