công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDN306P bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FDN306P bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
3 / 5 page FDN306P Rev D W) Typical Characteristics 0 5 10 15 20 0 1234 -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) VGS = -4.5V -2.5V -3.0V -2.0V -1.8V -1.5V 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 0 5 10 15 20 -ID, DIRAIN CURRENT (A) VGS = -1.8V -3.5V -2.5V -2.0V -3.0V -4.5V Figure 1. On-Region Characteristics. Figure 2. On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ, JUNCTION TEMPERATURE ( oC) ID = -2.6A VGS = -4.5V 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 123 45 -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) ID = -1.3A TA = 125 oC TA = 25 oC Figure 3. On-Resistance Variation with Temperature. Figure 4. On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 0 5 10 15 20 0.51 1.522.5 -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) TA = -55 oC 25oC -125oC VDS = -5V 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 -VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V) VGS = 0V TA = 125 oC 25 oC -55oC Figure 5. Transfer Characteristics. Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature. |
Số phần tương tự - FDN306P |
|
Mô tả tương tự - FDN306P |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |