công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDN302P bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FDN302P bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
3 / 5 page FDN302P Rev C(W) Typical Characteristics 0 3 6 9 12 15 00.5 1 1.522.5 -VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) -2.0V -2.5V -4.0V -3.5V V GS = -4.5V -3.0V 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0369 12 15 -ID, DRAIN CURRENT (A) VGS = -2.0V -4.0V -2.5V -4.5V -3.0V -3.5V Figure 1. On-Region Characteristics. Figure 2. On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ, JUNCTION TEMPERATURE ( oC) ID = -2.4A VGS = -4.5V 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 1.522.5 3 3.5 44.5 5 -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) I D = -1.2 A T A = 125 oC TA = 25 oC Figure 3. On-Resistance Variation with Temperature. Figure 4. On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 0 2 4 6 8 10 12 0.511.522.5 3 -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) TA = 125 oC 25 oC V DS = - 5V -55 oC 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 -VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V) TA = 125 oC 25 oC -55 oC V GS = 0V Figure 5. Transfer Characteristics. Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature. |
Số phần tương tự - FDN302P |
|
Mô tả tương tự - FDN302P |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |