công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDD2512 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FDD2512 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Fairchild Semiconductor |
4 / 5 page FDD2512 Rev B2(W) Typical Characteristics 0 2 4 6 8 10 01 23456789 Qg, GATE CHARGE (nC) I D = 2.2A V DS = 50V 100V 75V 0 100 200 300 400 500 0 255075 100 125 150 V DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) CISS C RSS COSS f = 1MHz VGS = 0 V Figure 7. Gate Charge Characteristics. Figure 8. Capacitance Characteristics. 0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 1000 VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) DC 1s 100ms RDS(ON) LIMIT V GS = 10V SINGLE PULSE RθJA = 96 oC/W T A = 25 oC 10ms 1ms 100µs 10s 0 20 40 60 80 100 0.01 0.1 1 10 100 1000 t1, TIME (sec) SINGLE PULSE RθJA =96°C/W TA = 25°C Figure 9. Maximum Safe Operating Area. Figure 10. Single Pulse Maximum Power Dissipation. 0.001 0.01 0.1 1 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 RθJA(t) = r(t) + RθJA RθJA = 96 °C/W TJ - TA = P * RθJA(t) Duty Cycle, D = t1 / t2 P(pk) t1 t2 SINGLE PULSE 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 D = 0.5 Figure 11. Transient Thermal Response Curve. Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b. Transient thermal response will change depending on the circuit board design. |
Số phần tương tự - FDD2512 |
|
Mô tả tương tự - FDD2512 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |