 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDD16AN08A0 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Fairchild Semiconductor |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
FDD16AN08A0 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Fairchild Semiconductor |
|
|
2 / 11 page  ©2002 Fairchild Semiconductor Corporation FDD16AN08A0 Rev. A1 Package Marking and Ordering Information Electrical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted Off Characteristics On Characteristics Dynamic Characteristics Switching Characteristics (V GS = 10V) Drain-Source Diode Characteristics Notes: 1: Starting TJ = 25°C, L = 155µH, IAS = 35A. Device Marking Device Package Reel Size Tape Width Quantity FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 TO-252AA 330mm 16mm 2500 units Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Units BVDSS Drain to Source Breakdown Voltage ID = 250µA, VGS = 0V 75 - - V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 60V - - 1 µA VGS = 0V TC = 150 oC- - 250 IGSS Gate to Source Leakage Current VGS = ±20V - - ±100 nA VGS(TH) Gate to Source Threshold Voltage VGS = VDS, ID = 250µA2 - 4 V rDS(ON) Drain to Source On Resistance ID = 50A, VGS = 10V - 0.013 0.016 Ω ID = 25A, VGS = 6V - 0.019 0.029 ID = 50A, VGS = 10V, TJ = 175 oC - 0.032 0.037 CISS Input Capacitance VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz - 1874 - pF COSS Output Capacitance - 290 - pF CRSS Reverse Transfer Capacitance - 91 - pF Qg(TOT) Total Gate Charge at 10V VGS = 0V to 10V VDD = 40V ID = 50A Ig = 1.0mA 31 47 nC Qg(TH) Threshold Gate Charge VGS = 0V to 2V - 4 6 nC Qgs Gate to Source Gate Charge - 9.7 - nC Qgs2 Gate Charge Threshold to Plateau - 5.7 - nC Qgd Gate to Drain “Miller” Charge - 7.2 - nC tON Turn-On Time VDD = 40V, ID = 50A VGS = 10V, RGS = 10Ω - - 93 ns td(ON) Turn-On Delay Time - 8 - ns tr Rise Time - 54 - ns td(OFF) Turn-Off Delay Time - 32 - ns tf Fall Time - 22 - ns tOFF Turn-Off Time - - 81 ns VSD Source to Drain Diode Voltage ISD = 50A - - 1.25 V ISD = 25A - - 1.0 V trr Reverse Recovery Time ISD = 50A, dISD/dt = 100A/µs- - 34 ns QRR Reverse Recovered Charge ISD = 50A, dISD/dt = 100A/µs- - 31 nC |
Số phần tương tự - FDD16AN08A0 |
|
Mô tả tương tự - FDD16AN08A0 |
|
|
|
Link URL |
| Chính sách bảo mật |
| ALLDATASHEET.VN |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
